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N沟道 场效应管SI2302 SOT-23-3

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信息简介:N沟道 场效应管SI2302 SOT-23-3

详细信息:
“N沟道 场效应管SI2302 SOT-23-3”参数说明
是否有现货: 品牌: LIDENUO
类型: 增强型MOS管(N沟道) 材料: N-FET硅N沟道
封装外形: SMD(SO)/表面封装 用途: L/功率放大
导电方式: 增强型 型号: SI2302 SOT-23-3
规格: SMD 商标: CJ
包装: 3000/盘
“N沟道 场效应管SI2302 SOT-23-3”详细介绍

特征VDS=20VRDS(ON)=0.085Ω@VGS=4.5V,ID=3.6ards(On)=0.115Ω@vgs=2.5v,id=绝对最高评级Ta=25℃参数符号评分单位漏源电压vds 20栅源电压VGS±8连续漏电流Ta=25℃2.1Ta=70℃1.7脉冲漏电流IDM 10功耗Ta=25℃0.7Ta=70℃0.46热阻。RthJA 178℃/W结温TJ 150℃储存温度tstg-55至150℃id局部放电v型W阿g.g斯丁2三13.1Awww.tw-gmc.com 1SI2302电学特性Ta=25℃参数符号测试条件Min Typ MAX单元漏源击穿电压VDSS VGS=0V,ID=10μA 20V门限值电压vgs(Th)vds=vgs,ID=250μA 0.62 0.951.9VDS=20 V,VGS=0 V1VDS=20 V,VGS=0 V,TJ=55℃10栅体泄漏IGSS=0V,vgs=±8V±100 nAVGS=4.5V,ID=3.6A 0.045 0.085VGS=2.5V,ID=3.1A 0.070 0.115VDS≥5V,VGS=4.5V6VDS≥5V,VGS=2.5V4正向跨导*GFS VDS=5V,ID=3.6 A8S输入电容CISS 300输出电容Coss 120反向传输电容CRSS 80门总电荷QG 4.0 10栅源电荷QGS 0.65浇口排水管费Qgd 1.5开启延迟时间TD(ON)7 15上升时间tr 55 80关闭延迟时间TD(关闭)16 60秋季TF 10 25连续源电流(二极管导通)为0.94A二极管正压VSD=0.94A,VGS=0V 0.761.2V*脉冲试验:-≤300μs占空比≤2%。μa阿Ω零栅电压漏电流IDSS状态漏电流ID(ON)数控排水---电阻源*VDD=10V,RL=5.5 ns编号3.6a,VGEN=4.5V,RG=6 UpRDS(ON)VDS=10V,VGS=0V,f=1 MHz PFVDS=10V,VGS=4.5V,ID=3.6av型n.?标记标记A2SHB

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