场效应管2N60 TO-220 8N65

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信息简介：场效应管2N60 TO-220 8N65

详细信息：

“场效应管2N60 TO-220 8N65”参数说明

是否有现货：	是	品牌：	LIDENUO
类型：	增强型MOS管(N沟道)	材料：	N-FET硅N沟道
封装外形：	CER-DIP/陶瓷直插	用途：	MOS-INM/独立组件
导电方式：	增强型	型号：	2N60 TO-220
规格：	TO-220	商标：	LIDENUO
包装：	管装

“场效应管2N60 TO-220 8N65”详细介绍

FQPF2N60C: N 沟道 QFET ? ? MOSFET 600V，2A，4.7Ω
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来
降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子
镇流器。

特性：
? "
? 2A, 600V, R DS(on) = 4.7Ω （最大值）@V GS = 10 V, I D = 1A栅极电荷低（典型值：8.5nC)
? 低 C rss （典型值4.3pF)
? 100% 经过雪崩击穿测试"
? 100% avalanche tested"

信息编辑:常州立德诺科技有限公司字号：大中小

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